PMZ290UNE2YL

Nexperia USA Inc

PMZ290UNE2YL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3

В производствеSC-101, SOT-883Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность350mW (Ta), 5.43W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Корпус производителяSOT-883

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)