PMV65XP,215

Nexperia USA Inc

PMV65XP,215

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds744 pF @ 20 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность480mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяTO-236AB

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)