PMV164ENEAR

Nexperia USA Inc

PMV164ENEAR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs218mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 30 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность640mW (Ta), 5.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101