Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 2.4A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 386 pF @ 10 V |
| Производитель | Nexperia USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 463mW (Ta), 4.45W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | SOT-23 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|