PMPB55XNEAX

Nexperia USA Inc

PMPB55XNEAX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds255 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность550mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101