PMPB33XN,115

Nexperia USA Inc

PMPB33XN,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 4.3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds505 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta), 8.3W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020MD-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)