PMPB12UNEX

Nexperia USA Inc

PMPB12UNEX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 7.9A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1220 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность470mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020MD-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)