PMPB100ENEX

Nexperia USA Inc

PMPB100ENEX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET DFN2020MD-6

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 3.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds157 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020MD-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)