PMPB08R4VPX

Nexperia USA Inc

PMPB08R4VPX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Базовый Part NumberPMPB08
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 6 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta), 12.5W (Tc)

Механические

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020MD-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)