PMN55ENEH

Nexperia USA Inc

PMN55ENEH

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

Снят с производстваSC-74, SOT-457Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds646 pF @ 30 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность560mW (Ta), 6.25W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)