PMH260UNEH

Nexperia USA Inc

PMH260UNEH

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs310mOhm @ 700mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность360mW (Ta), 2.23W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяDFN0606-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)