PMH1200UPEH

Nexperia USA Inc

PMH1200UPEH

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C520mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность380mW (Ta), 2.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяDFN0606-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)