PMGD780SN,115

Nexperia USA Inc

PMGD780SN,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

Снят с производства6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 300mA, 10V
Базовый Part NumberPMGD780
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 30V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C490mA
Power - Max410mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителя6-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)