PMGD280UN,115

Nexperia USA Inc

PMGD280UN,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP

Снят с производства6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Базовый Part NumberPMGD280
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45pF @ 20V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C870mA
Power - Max400mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителя6-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)