PMDXB950UPEZ

Nexperia USA Inc

PMDXB950UPEZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN

В производстве6-XFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Базовый Part NumberPMDXB950
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA
Power - Max265mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN1010B-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)