PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc

PMDXB600UNEZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

В производстве6-XFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V
Базовый Part NumberPMDXB600
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.3pF @ 10V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA
Power - Max265mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN1010B-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)