PMDT290UNEH

Nexperia USA Inc

PMDT290UNEH

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Power - Max330mW (Ta), 1.09W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-666

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101