PMDPB95XNE2X

Nexperia USA Inc

PMDPB95XNE2X

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Базовый Part NumberPMDPB95
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds258pF @ 15V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Power - Max510mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)