PMDPB80XP,115

Nexperia USA Inc

PMDPB80XP,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Базовый Part NumberPMDPB80
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 10V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A
Power - Max485mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)