PMDPB56XNEAX

Nexperia USA Inc

PMDPB56XNEAX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds256pF @ 15V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Power - Max485mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020D-6

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q100