PMDPB55XP,115

Nexperia USA Inc

PMDPB55XP,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Базовый Part NumberPMDPB55
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds785pF @ 10V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Power - Max490mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)