PMCXB1000UEZ

Nexperia USA Inc

PMCXB1000UEZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN

В производстве6-XFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Базовый Part NumberPMCXB1000
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C590mA (Ta), 410mA (Ta)
Power - Max285mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN1010B-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)