PHKD3NQ10T,518

Nexperia USA Inc

PHKD3NQ10T,518

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberPHKD3
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds633pF @ 20V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)