PH3230S,115

Nexperia USA Inc

PH3230S,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

УстаревшийSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаCut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Механические

Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8