Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные, предварительно смещенные/PDTD113ZTVL
PDTD113ZTVL

Nexperia USA Inc

PDTD113ZTVL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS PREBIAS NPN TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberPDTD113
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA

Электрические

Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V

Механические

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяTO-236AB

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству PDTD113ZTVL, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.