Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
| Производитель | Nexperia USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60V, 50V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA, 170mA |
| Power - Max | 500mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Корпус производителя | SOT-666 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |