BUK9Y19-75B,115

Nexperia USA Inc

BUK9Y19-75B,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3096 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность106W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)