BUK9Y19-100E,115

Nexperia USA Inc

BUK9Y19-100E,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5085 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность167W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)