BUK7Y12-55B,115

Nexperia USA Inc

BUK7Y12-55B,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2067 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61.8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность105W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101