Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Производитель | Nexperia USA Inc. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |