BSP225,115

Nexperia USA Inc

BSP225,115

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223

Снят с производстваTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 200mA, 10V
Базовый Part NumberBSP225
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C225mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)