BSP122,115

Nexperia USA Inc

BSP122,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223

Снят с производстваTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 750mA, 10V
Базовый Part NumberBSP122
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C550mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)