BSP110,115

Nexperia USA Inc

BSP110,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 150mA, 5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C520mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность6.25W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)