Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 20 V |
| Производитель | Nexperia USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 8.3W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус производителя | SOT-223 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|