BSH205G2AR

Nexperia USA Inc

BSH205G2AR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Базовый Part NumberBSH205
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds421 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность610mW (Ta), 10W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяTO-236AB

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)