2N7002NXAKR

Nexperia USA Inc

2N7002NXAKR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20 pF @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA (Ta), 300mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность265mW (Ta), 1.33W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяTO-236AB

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)