2N7002KQBZ

Nexperia USA Inc

2N7002KQBZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3

В производстве3-XDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 720mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28 pF @ 30 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C720mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность420mW (Ta), 4.2W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN1110D-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)