NP82N055MUG-S18-AY

NEC Corporation

NP82N055MUG-S18-AY

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 82A TO220

УстаревшийTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 25 V
ПроизводительNEC Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.8W (Ta), 143W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура175°C (TJ)