Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V |
| Производитель | NEC Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-262 |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|