LM5112MY

National Semiconductor

LM5112MY

Аналоговые и силовые компоненты

BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

В производстве8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberLM5112
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаInverting, Non-Inverting
ПроизводительNational Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)14ns, 12ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 7A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.3V
Напряжение питания3.5V ~ 14V

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-MSOP-PowerPad

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)