LM5110 DUAL 5A COMPOUND GATE DRI
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 14ns, 12ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 3A, 5A |
|---|---|
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Напряжение питания | 3.5V ~ 14V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 10-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 10-WSON (4x4) |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|