Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 15ns, 15ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 1A, 1A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 108 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.2 V |
| Напряжение питания | 8V ~ 14V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-WSON (4x4) |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|