Общие
| Тип усилителя | J-FET |
|---|---|
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | BI-FET II™ |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Входное напряжение смещения | 300 µV |
|---|---|
| Макс. диапазон питания | 32 V |
| Мин. диапазон питания | 10 V |
| Входной ток смещения | 50 pA |
| Ток питания | 3.4mA |
| Полоса единичного усиления | 4 MHz |
| Количество цепей | 1 |
| Скорость нарастания | 13V/µs |
Механические
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|---|---|
| Корпус производителя | 8-SOIC |
Среда
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
|---|