Общие
| Тип усилителя | J-FET |
|---|---|
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип усилителя | J-FET |
|---|---|
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Входное напряжение смещения | 300 µV |
|---|---|
| Макс. диапазон питания | 40 V |
| Мин. диапазон питания | 10 V |
| Входной ток смещения | 50 pA |
| Ток питания | 1.8mA |
| Полоса единичного усиления | 4 MHz |
| Количество цепей | 1 |
| Скорость нарастания | 15V/µs |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 8-PDIP |
| Рабочая температура | 0°C~70°C |
|---|