Общие
| Тип усилителя | J-FET |
|---|---|
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | BI-FET™ |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Входное напряжение смещения | 3 mV |
|---|---|
| Макс. диапазон питания | 44 V |
| Мин. диапазон питания | 10 V |
| Входной ток смещения | 30 pA |
| Ток питания | 5mA |
| Полоса единичного усиления | 5 kHz |
| Количество цепей | 1 |
| Скорость нарастания | 12V/µs |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-99-8 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-99-8 |
Среда
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
|---|