Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 30 ns |
| Производитель | National Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | 93425DMQB40 |
| Время цикла записи | 20ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 1Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 1K x 1 |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 16-CDIP |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C (TC) |
|---|