Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 1GHz |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 14mA, 10V |
| Power - Max | 180W |
| Frequency - Transition | 5.5GHz |
| Gain | 17dB |
Механические
| Package / Case | M150 |
|---|---|
| Корпус производителя | M150 |
Среда
| Рабочая температура | 200°C |
|---|