Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 110V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 320W |
| Frequency - Transition | 1.5MHz ~ 30MHz |
| Gain | 12dB ~ 14.5dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 55HX |
| Корпус производителя | 55HX |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|