Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Корпус производителя | D3PAK |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|