Общие
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 2A, 5V |
| Power - Max | 300W |
| Frequency - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 7.5dB |
Механические
| Package / Case | M218 |
|---|---|
| Корпус производителя | M218 |
Среда
| Рабочая температура | 250°C (TJ) |
|---|